Продам транзисторы
Писать в личку
Тема обновляется
Первая часть тут https://baraholka.onliner.by/viewtopic.php?t=21273947
Третья часть тут https://baraholka.onliner.by/viewtopic.php?f=6&t=25134186
BU3150AF
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220F
2 шт по 4руб
K3565 (2SK3565)
MOSFET, 900V/5A, TO220
1шт 6руб
A992 (2SA992)
Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -0.05 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 800
Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
Корпус: TO-92
1шт 2руб
P1504EDG
Полевой транзистор, N-канальный, 40В 40А 42Вт
2шт по 4руб
P9NB60 (STP10NK60)
N-FET / 600V / 9A / 125W/ E75 = STP10NK60ZFP CASE: TO-220
1шт 4руб
P16NE06F
N-CHANNEL MOSFET 60V 16A
2шт по 10руб
D2N52 (STD2N52)
N-CHANNEL 600V - 3.3Ω - 2A
1шт 6руб
H15NB50FI
N-CHANNEL 500V PowerMESH MOSFET 14.6A - TO-247
1шт 6руб
Y34NB50 (STY34NB50)
34A 500V n-канальный MOSFET
2шт по 20руб
BD242
Транзистор биполярный, PNP, Ic=-3А, Vceo=-100В, Vcbo=-115В, Pd=40Вт , hFE= =25 [TO-220]
1шт 3руб
BC640
Транзистор PNP 80В 0.1А 1Вт [TO-92]
1шт 1руб
K2150 (2SK2150)
500 В 15A N канальные МОП транзистор
2шт по 8руб
BD140
Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126]
5 шт по 1руб
D1978 (2SD197
Транзистор Дарлингтона 120В 1.5А
3 шт по 10руб
FL014 (IRFL014)
Транзистор, N-канал 55В 1.9А [SOT-223]
3шт по 2руб
C2308 (2SC230
Type - NPN
Collector-Emitter Voltage: 50 V
Collector-Base Voltage: 55 V
Emitter-Base Voltage: 5 V
Collector Current: 0.1 A
Collector Dissipation - 0.2 W
DC Current Gain (hfe) - 100 to 320
Transition Frequency - 230 MHz
2шт по 2руб
1201 (RN1201)
NPN Silicon Transistor
With built-in bias resistors 4.7k
5шт по 1руб
C5411 (2SC5411)
Мощный высоковольтный NPN транзистор, управление горизонтальной (строчной) разверткой ТВ, [TO-3P]
1шт 4руб
B857 (2SB857)
PNP transistor TO-220AB 50V 4A
4 шт по 4руб
SSS10N60A (MDF10N60G)
MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.1 A
3 шт по 2руб
J449 (2SJ449)
Транзистор, Р-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
1шт 3руб
D669A (2SD669A)
Транзистор NPN 160В 2А 1Вт [TO126]
12 шт по 2руб
B669A (2SB669A)
PNP дарлингтон
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000
1шт 3руб
B562 (2SB562)
Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -20 В
Напряжение коллектор-база, не более: -25 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -1 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 240
Граничная частота коэффициента передачи тока: 350 МГц
1шт 2руб
BF422 (F422)
Транзистор, NPN, 250В, 250мА, 0.83Вт, [TO-92]
42 шт по 50коп
BF423 (F423)
PNP транзистор, [TO-92]
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
30 шт по 50коп
2SK4005
Полевой транзистор, N-канальный, 900В 6А 70Вт
3 шт по 4руб
D2399 (2SD2399)
транзистор N-DARL+D 80V 4A 30W B=1K
1шт 2руб
2SC3422
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В
Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 3 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 240
Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
Корпус: TO-126F
1шт 2руб
C5460 (2SC5460)
Collector Current IC 0.05 A
Collector-emitter voltage VCEO 800 V
4 шт по 3руб
K3670 (2SK3670)
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A
2шт по 4руб
J668 (2SJ66 (TE16L1)
Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching 60 V, 5 A.
1шт 2руб
PHD78NQ03LT (PHU78NQ03LT)
N-channel TrenchMOS Logic Level FET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A
1шт 4руб
61A3 (CEB61A3)
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
30V, 60A,RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 10V.
RDS(ON) = 19mΩ @VGS = 4.5V.
4шт по 4руб
FDD8896
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 94 A
2шт по 4руб
C4881 (2SC4881)
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
Ток коллектора, не более: 5 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300
Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц
Корпус: TO-220F
1шт 3 руб 70 коп
A1837 (2SA1837)
Транзистор PNP 230В 1А [TO-220FP]
10 шт по 3руб
C2482 (2SC2482)
Транзистор NPN 300В 0.1А 0.9Вт 120МГц [TO-92mod]
2 шт по 1руб 30 коп
C1093 (2SC1093)
транзистор SI-N 25V 25mA
корпус : TO92
4шт по 1руб
A1376 (2SA1376)
TRANSISTOR SILICON PNP / 200V / 0.1A / 0.75W / 120MHz...
2шт по 2руб 50коп
W34NB20
N-CHANNEL 200V — 0.062Ohm- 34A TO-247
3шт по 10 руб
P6NA60FI (STP6NA60FI)
N-Channel 600 В/3.9A
3шт по 5 руб
P7NB60FP
Транзистор: полевой n-канальный; полевой; 600В; 4,1А; 40Вт; TO220
2шт по 5руб
MPS2907A
Транзистор PNP 60V 0.6A [TO-92]
3 шт по 1руб
CEP50N06 (FP50N06)
MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 60V Current, Id Cont 50A
10 шт по 2руб
XN0460100L (XN04601) (5C)
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz, 80MHz 300mW Surface Mount
SOT-23-6
1шт 2руб
B1ABGC000005
NPN
2шт по 1руб
UNR221200L (UN2212) (MUN5212) (8B)
NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 22 kΩ
3шт по 1руб
UNR211H (UNR211FOOL) (UNR211H00L) (6P)
"цифровой" pnp: 50В/100мА, 2.2k/10k
1шт 1руб
ZR (2SD601A) (2SD0601AHL)
npn: 50В/100мА h21=210...340
5шт по 1руб
BR (2SB709A) (2SB0709AHL)
PNP 50V, 600mA, B=210..340, 150MHz
2 шт по 1руб
KTA1504 (ASG) (ASO) (ASY) (B1ADCE000012)
силиконовый PNP транзистор, Ucb = 50V, Ic = 150mA, применение: Универсальный
marking code: ASG , ASO , ASY
1шт 1руб
KRC107S (NH) (B1GBCFJN0033)
npn "цифровой": 50В/100мА 10k/47k
5шт по 1руб
KRA110S (B1GDCFGA001 (PK)
"цифровой" pnp: 50В/100мА 4,7k/-
1шт 1руб
KRC103S (B1GBCFLL0037) (NC)
NPN транзистор, Ucb = 50V, Ic = 100mA 200MHz, R1/R2=22k/22k
1шт 1руб
B1565 (2SB1565)
Структура - p-n-p
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
Ток коллектора, не более: -3 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 320
Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
Корпус: TO-220F
1шт 5руб
C5922 (2SC5922)
1шт 1руб
C5122 (2SC5122)
Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 50 мА, 0.9 Вт
1шт 1руб
K3446 (2SK3446)
Silicon N Channel Power MOS 150V 1A
4 шт по 3 руб
A1270-Y (2SA1270)
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В
Напряжение коллектор-база, не более: -35 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -0.5 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240
Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
Корпус: TO-92
hFE от 120 до 240.
4 шт по 1руб
D452 (AOD452)
N-ch FET
Напряжение: 25V
Непрерывный ток утечки (Tc=25°C): 55A
Мощность: 50W
4 шт по 3руб
9T15GH (AP9T15GH)
N-Channel MOSFET 20V 12.5A
4 шт по 3руб
A2719M (UPA2719)
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
2 шт по 3руб
D2854 (KTD2854)
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO92L
8 шт по 2руб
A1281 (KTA1281)
Complementary to KTC3209
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
5 шт по 2руб
P75NF75 (STP75NF75)
N-CHANNEL POWER MOSFET TO-220 75V 80A
4шт по 4руб
B647 (2SB647)
PNP-transistor Low frequency power amplifier, 80V 1A, 0.9W
2шт по 60коп
75339P (HUF75339P)
MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
2шт по 5руб
2SK1940
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.75 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
1шт 6руб
K794 (2SK794)
N; 900V; 5A; 150V; 2.5 Ohm
1шт 5руб
2SK2834
1шт 8 руб
K2604 (2SK2604)
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
1шт 10 руб
2SK962
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
1шт 8руб
D1432 (2SD1432)
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
1шт 2руб
W8NC80Z
N-CHANNEL 800V 6.7A TO-247 Zener-Protected
1шт 5руб
C4236 (2SC4236)
NPN 1200V, 6A, 100W, 8MHz, Tf<300nS
1шт 5руб
D1546 (2SD1546)
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 165 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
1шт 2руб
LSH16018-2
1шт 5руб
BC489B
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.625 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 80 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 80 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 100 MHz
Collector Capacitance (Cc): 12 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 160
1шт 2руб
MPSA82
1шт 3руб
BC550B
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
5шт по 2руб
BC550C
NPN 45В 0.1А 0.5Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
16 шт по 2руб
BC548C
NPN 30В 100мА
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
есть подобранные в пары с BC558C
63 шт по 60 коп
BC560C
PNP 45В 0.1А 0.625Вт
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
есть подобранные в пары с BC550C
6 шт по 1 руб
BC558C
PNP 30В 0.1А 0.5Вт
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 420
есть подобранные в пары с BC548C
34 шт по 1руб
E13007 (KSE13007 MJE13007)
high voltage N-P-N silicon transistor 400V 8A
5 шт по 6 руб
D13007K (STD13007K)
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 80 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 700 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 400 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 8 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 14 MHz
Collector Capacitance (Cc): 80 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 8
2 шт по 6 руб
П308М
Транзисторы П308М кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные
2шт по 1руб
КТ815
Транзистор NPN, низкочастотный, большой мощности
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50(А Б) 70 (В) 100(Г)
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5
В - 3шт Г-10шт по 60 коп
КТ814
PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50(Б) 70(В) 100(Г)
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5(Б)
В - 3 шт Г - 2шт по 60коп
КТ819
Транзистор NPN 40В(А) 70В(В) 100В(Г) 10А 60Вт 3Мгц
Г - 2шт по 4руб
КТ817
Транзистор NPN 40В(А) 45(Б) 3А 25Вт 3Мгц
Б - 1шт 1 руб
КТ602БМ
Транзистор NPN 120В 0,075А 0,85Вт 150МГц
6шт по 1руб
КТ315Б
2шт по 20коп
536 (2SC536)
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
8 шт по 1руб
608 (2SA60
Si-P, 30V, 0,1A, 0,1W, 180MHz
5 шт по 1руб
КП502А
N-канал 400V 0,12A TO-92
1шт 1руб
КП103Е1
P-канал, TO-92, 10В
1шт 1руб
S298 (BF29
Transistor npn 250V 100mA 600mW TO92
1шт 3руб
BU2527AF
NPN Power Transistor 1500V 12A
1шт 3руб
C4234 (2SC4234)
Transistor NPN 1200V 3A 45W 8MHz
1шт 4руб
BDT61
транзистор N-DARL+D 60V 4A 50W >10MHz, B>750
1шт 6руб
2SC5200
NPN 230В 15 А
21 шт по 8руб
BD136 (BD136-16)
PNP -45В -1.5А 12.5Вт
4 шт по 1руб
BC328-40 (C32840)
PNP 25V 800MA
9 шт по 1руб
BC338-40 (C33840)
NPN; биполярный; 25В; 0,8А; 625мВт
14 шт по 50коп
C3200 (2SC3200)
NPN / 120V / 0.1A / 0.3W / 100MHz...
2 шт по 2руб
C547C (BC547C)
NPN 45В 0.1А 0.5Вт
50 шт по 50коп
C3953 (2SC3953)
120V, 0.2A, NPN
4 шт по 50коп
A1370 (2SA1370)
PNP 200V, 0.1A, 1W, 150MHz
3 шт по 3руб
BC307B
PNP, 45 V, 0.1 A, 0.35 W
1шт 50коп
R1009 (KSR1009)
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
5 шт по 50коп
KSP94
High Voltage Transistor
• High Collector-Emitter Voltage: VCEO = -400 V
PNP
5 шт по 1руб
BF241
npn 40в 25 mA 0,35 мвт 600 мгц 0,34 пф
1шт 2руб
BF959
NPN 20V 0.1A 1.1GHz
3 шт по 3руб
K222 (2SK222)
N-Channel Junction Silicon FET for Low-Frequency Low-Noise Amplifier
1шт 2руб
A1024 (2SA1024)
Silicon PNP-transistor 400V, 0,1A, 0,4W, 15MHz
2 шт по 4руб
1012 (2SD1012)
NPN, 20V, 0.7A, 0.25W.
2 шт по 2руб
BC638
PNP 60V, 1A, 0.8W, 50MHz
2 шт по 50коп
S9018 (SS901
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
2 шт по 50 коп
K583 (2SK583)
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.2 A
2 шт по 5руб
BC639 (C639)
NPN 80V 1A 200MHz
5 шт по 50коп
C338 (BC33
NPN 25V 800MA 100MHz
4 шт по 50коп
S9012 (SS9012)
PNP, -20 В, 625 мВт, -500 мА, 144 hFE
2 шт по 5руб
BC337-40 (C33740)
NPN 45В 0.8А 0.6Вт
7 шт по 20коп
BF506
40V 30mA 550MHz 0.3W
1шт 1руб
C2331 (KSC2331) (2SC2331)
NPN 60В 0.7А 1Вт 50МГц
3 шт по 60 коп
C3207 (2SC3207)
NPN 200В 100мА 900мВт
1шт 4руб
A1123 (2SA1123)
PNP 150V 0.05A 200MHz
1шт 3руб
F247A (BF247A)
JFET N-CH 25V 0.35W
1шт 6руб
2999 (2SC2999)
SI-N VHF 750MHZ
1шт 5руб
B1426 (2SB1426)
PNP 3.0A 20V
1шт 5руб
A708 (2SA70
PNP 60В 0.7А
4 шт по 1руб
F256B (BF256B)
JFET N-CH 30V 13MA
1шт 4руб
BC338-25 (C33825)
NPN 20В 0.8А 0.625Вт
5 шт по 20коп
1203 (SRC1203)
NPN With built-in bias resistors 22k
1шт 1руб
C1571 (2SC1571)
General Purposes NPN Transistor 35V 0.1A
1шт 1руб
D1616 (2SD1616)
NPN, 1А, 60В
3 шт по 20коп
BC558A
PNP Transistor, 30V, 0.1A, 0.5W
1шт 1руб
C2512 (2SC2512)
NPN VHF, 30V, 50mA, 0.3W, 900MHz
1шт 4руб
KSP44
NPN, 400В, 300мА
3 шт по 40коп
BC368
NPN 25V, 1A, 0.8W, >65MHz
2шт по 40коп
C637 (BC637)
NPN 60В 0.5А 1Вт
2 шт по 40коп
BC107
NPN 45В 0.1A
1шт 5руб
R2003 (KSR2003)
PNP транзистор, Uce = 50V, Ic = 100mA, применение: Встроенный резистор цепи смещения, Переключатель
1шт 5руб
A1275 (2SA1275)
PNP транзистор, Uce = 160V, Ic = 1A
1шт 4руб
2SA1943
PNP 230В 15А
13 шт по 8руб
IRFP9240
P-канал 200В 12А
4шт по 5руб
TIP142
NPN Darlington, 100В, 10А, 125Вт
4шт по 4руб
TIP147
Дарлингтон PNP 100В 10А 125Вт
4шт по 4руб
IRFZ44N
N-канал 55В 41А
13 шт по 2руб
IRFP150N
N-канал 100В 39А
6шт по 5руб
КТ803А (2Т803А)
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 60
2 шт по 7руб
КТ808А
n-p-n транзистор КТ808А кремниевый мезапланарный, низкочастотный с высокой мощностью — используется в ключевых импульсных схемах и генераторах строчной развертки.
2шт по 5 руб
КТ805Б
NPN (5А 160В) 50W
4шт по 4руб
2Т908А
NPN Trs 100V 10A 50W
3шт по 6руб
P6N60 (6N60A)
600V N-Channel MOSFET
1шт 5руб
IRF634
N-MOSFET транзистор, Uds = 250V, Ids = 8.1A
A - 1шт, B - 2шт по 3руб
IRF650A
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
1шт 14руб
IRF840A
N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
2 шт по 2руб
SFP9634
P-канал 250В 5А
2шт по 3руб
K06N60 (SKP06N60)
Fast IGBT 600V 6A
3 шт по 4руб
IRFS630A
38 W 200 V 6.5 A
2шт по 4руб
P4NK60Z (STP4NK60Z)
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A
2шт по 2руб
IRFZ34
N-канал 55В 26А
1шт 2руб
40N03 (AP40N03GP) (40NF03)
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A
3шт по 3руб
P3055LDG (P3055LS)
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
3 шт по 3руб
P06P03LDG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
1шт 2руб
B1184 (2DB1184Q)
PNP 50V 3A
1шт 3руб
70T03GH (AP70T03GH)
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A
4 шт по 3руб
9T18GH (AP9T18GH)
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 38 A
1шт 5руб
C3953D (2SC3953D)
NPN 120 В 0.2 А
4 шт по 50коп
C3987 (2SC3987)
NPN Darlington Transistor
50V; 3A; 20W; 180MHz; h21=1000-4000
9 шт по 14руб
BD441
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 36 Вт,
1шт 2руб
BD442
PNP; 80V; 4A; 36W, пара BD441
1шт 2руб
BF869G
NPN High-voltage Transistors
ß (beta): >50; N: 1.6 W; Imax(Ic): 100 mA; Umax(Uce): 250 V; f g(FT): >60 MHz
kompl.: BF870
2шт по 2руб
C2068 (2SC206
Si-N, 300V, 0,05A, 95MHz
3шт по 2руб
K1118 (2SK111
MOSFET - 600V 6A N-Channel
1шт 2руб
BF883S
Структура npn
Pc,max 7W
Ucb,max 300V
Uce,max 275V
Ueb,max 5V
Ic,max 50mA
2шт по 5руб
C3611 (2SC3611) (2SC3598, 2SC3599)
NPN транзистор, Ucb = 110V, Ic = 150mA, применение: Мощный усилитель видеосигнала, Высокое разрешение
3 шт по 3руб
BD137
NPN 60В 1.5А 12.5Вт
1шт 1руб
BD329
NPN / 32V / 3A / 15W / 130MHz...
4 шт по 1руб
BD244C
PNP, 100 В, 65 Вт, -6 А, 15 hFE
2 шт по 2руб
D2206A (2SD2206A)
NPN 2A 120V
10 шт по 2руб
TT2194
NPN; 500V; 12A; 50W; 15MHz; 0.3мкс
2 шт по 3руб
A935 (2SA935) (BC640, 2SA965, 2SB647, 2SB1041)
PNP транзистор, Uce = 80V, Ic = 700mA,
2 шт по 1руб
B1374 (2SB1374)
PNP транзистор, Uce = 50V, Ic = 2A
2 шт по 5руб
K1356 (2SK1356)
N-MOSFET транзистор, Uds = 900V, Ids = 3A
1шт 6руб
D1833 (2SD1833)
NPN транзистор, Ucb = 100V, Ic = 7A
1шт 5руб
BUK455-200
MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A
2 шт по 3руб
BD242C
PNP, Ic=-3А, Vceo=-100В, Vcbo=-115В, Pd=40Вт , hFE= =25
2 шт по 2руб
BDT60 (BD716, BDW24A, BDW54A, BDW64A)
PNP darlington транзистор, Uce = 60V, Ic = 4A
1шт 5руб
BCP53
PNP, 80В, 1А, 1.3Вт
1шт 1руб
TPC8118
P-канальный MOSFET 30V 13A 8-SOIC
2шт по 5руб
6984S (FDS6984S)
Dual N-Channel PowerTrench SyncFET Mosfet
1шт 2руб
F8113 (IRF8113)
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
1шт 2руб
4710 (AO4710)
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
3шт по 3руб
4892 (SI4892)
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
2шт по 5руб
MAX (D1304S)
Transistor Npn 25V 300Ma
2шт по 2руб
BCX56 (BH)
NPN биполярный транзистор, [SOT-89] 1A 80V
10шт по 2руб
ME15N10-G
Транзистор N-Channel MOSFET ME15N10 TO-252 100V 15A
1шт 3руб
30Q10
TO-252
1шт 5руб
18T10AGH
100V, 9A, N-channel Power MOSFET
1шт 3руб
6908A (AON6908A)
30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
2шт по 3руб
7410 (AON7410)
30V N-Channel MOSFET
3шт по 2руб
FDD7N25LZ
TO-252 MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.7 A
4шт по 5руб
A2222 (2SA2222)
NPN Voltage: 50V Current: 10A
1шт 5руб
7408 (AON740
30V N-Channel MOSFET
1шт 5руб
FDS6688
SOP8 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET
3шт по 5руб
FDS6900 (6900AS)
DUAL N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFET
5шт по 3руб
6764 (AO6764)
30V N-Channel
1шт 5руб
6414A (AON6414AL)
30V N-Channel MOSFET
1шт 3руб
MDU1536
Single N-channel Trench MOSFET 30V
3шт по 3руб
4856A (SI4856A)
N-Channel Mosfet SOP-8 30 В
1шт 3руб
