Транзисторы Часть 3 (не Китай)

sl.murs Senior MemberАвтор объявления

офлайн

sl.murs Senior Member Автор объявления

755

16 лет на сайте
пользователь #117165

Профиль
Написать автору
Все объявления продавца

755

Написать автору

# 20 февраля 2022 13:41 Редактировалось более 1 месяца назад

Предыдущие части
https://baraholka.onliner.by/viewtopic.php?f=6&t=23119940&p=105030773#p105030773

https://baraholka.onliner.by/viewtopic.php?f=239&t=21273947&p=99722905#p99722905

K2544 (2SK2544)

N-MOSFET транзистор, Uds = 600V, Ids = 6A
2 шт по 14руб

BD241C

NPN транзистор, Uce = 115V, Ic = 3A,
2 шт по 1руб

TIP41C

NPN 100В 6А
1шт 1руб

BD330 (2SB772, 2SB986)

PNP транзистор, Uce = 20V, Ic = 3A
2 шт по 5руб

BDC02A (BDB02A)

PNP транзистор, Uce = 45V, Ic = 500mA, применение: Задающие и выходные каскады УЗЧ
1шт 5руб

B1483 (2SB1483)

PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 5A, применение: Низкое напряжение насыщения Uce
1шт 5руб

K1507 (2SK1507)

N-MOSFET транзистор, Uds = 600V, Ids = 9A
1шт 4руб

A940 (2SA940)

PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 1.5A, применение: Вертикальное отклонение, ТВ, Каскады для усилителей звуковых частот
2 шт по 1руб

TIP32C

PNP транзистор, Uce = 100V, Ic = 3A, применение: Усилитель и переключатель широкого назначения
4 шт по 1руб

D2058 (2SD205

NPN транзистор, Ucb = 60V, Ic = 3A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
2 шт по 2руб

D1843

NPN darlington транзистор, Ucb = 60V, Ic = 1A
23 шт по 3руб

C3467 (2SC3467)

NPN транзистор, Uce = 200V, Ic = 100mA, применение: Транзисторный видеоусилитель, Высокое разрешение
2 шт по 1руб

BD243C

NPN транзистор, Uce = 100V, Ic = 6A, применение: Усилитель и переключатель широкого назначения
2 шт по 1руб

A1488 (2SA148

PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 4A
1шт 5руб

BFQ162

NPN транзистор, Uce = 10V, Ic = 500mA, применение: Задающий каскад усилителя видеосигналов для мониторов
3шт по 5руб

D2069 (2SD2069)

NPN транзистор, Ucb = 60V, Ic = 2A, применение: Низкое напряжение насыщения Uce
2 шт по 5руб

C3595 (2SC3595)

NPN транзистор, Uce = 20V, Ic = 500mA, применение: Выходной каскад для видео, Высокое разрешение
3 шт по 5руб

BSN254A

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
2 шт по 3руб

B1416 (2SB1416)

PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 3A, применение: Выходные каскады УЗЧ
1шт 5руб

C2230 (2SC2230)

NPN транзистор, Uce = 160V, Ic = 100mA, применение: Задающие каскады УЗЧ, Транзисторный видеоусилитель
1шт 1руб

BD434

PNP, Ic=-4А, Vceo=-22В, Vcbo=-22В, Pd=36Вт , hFE= = 85
3шт по 1руб

D667 (2SD667)

NPN-transistor Low frequency power amplifier, 120V 1A, 0.9W
9 шт по 1руб

C2383 (2SC2383)

CTV-NF/VA, 160/160V, 1A, 0,9W, >20MHz
3 шт по 1руб

C2073 (2SC2073) (KSC2073)

NPN транзистор, Uce = 150V, Ic = 1.5A, применение: Вертикальное отклонение, ТВ, Каскады для усилителей звуковых частот, Силовой переключатель
2шт по 1руб

B1318 (2SB131

PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 3A, применение: Универсальный
1шт 5руб

K3153 (2SK3153)

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
15A/120V
1шт 6руб

BD808

PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 10A, применение: Высокомощный УЗЧ с комплементарными или квази комплементарными цепями, Усилитель
1шт 5руб

5609 (TPT5609)

N-P-N 25V / 1A / 190 Mhz
2шт по 1руб

A1941 (2SA1941)

PNP 140В 10А
2шт по 5руб

C5198 (2SC519

NPN 140 В 10 А
2шт по 5руб

C4793 (2SC4793)

NPN 230В 1А
9 шт по 3руб

FU9210 (IRFU9210)

P-MOSFET транзистор, Uds = 200V, Ids = 1.9A
6шт по 5руб

BD139

NPN 80В 1.5А 12.5Вт
23 шт по 1руб

Л1 (КП103Л1)

Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт
2шт по 50 коп

IRFP250N

N-канал 200В 30А
4шт по 6руб

MMBT5401 (2L)

PNP, 150В, 600мА
4шт по 50коп

A103 (2SA103)

германиевый PNP транзистор, Ucb = 40V, Ic = 10mA, применение: Промежуточная частота (ПЧ), Каскады ВЧ усилителей
2шт по 1руб

A1220A (2SA1220A)

PNP
Collector-Emitter Voltage: -120 V
Collector-Base Voltage: -120 V
Emitter-Base Voltage: -5 V
Collector Current: -1.2 A
Collector Dissipation: 20 W
DC Current Gain (hfe): 60 to 320
Transition Frequency: 175 MHz
1шт 3руб

D415 (2SD415)

Vcbo= 120v; Ic= 800 mA; Pw= 10 W; ft= 45 MHz TO-126 NPN Transistor
1шт 3руб

K3667 (2SK3667)

Транзистор полевой N-канальный 600В 7.5А 45Вт
1шт 3руб

C517 (BC517)

Транзистор Дарлингтона NPN 30В 0.5А
1шт 1руб

SUB70N03-09P

N Канал, 70 А, 30 В
2шт по 6руб

SUB75N03-07

N-Channel 30-V 75A
2шт по 6руб

Si4410 (4410) (ME44I0A)

полевой транзистор Рабочее напряжение: 30V
Максимальный ток: 10A
4 шт по 6руб

40N03 (UT40N03)

N-Channel POWER MOSFET 40A,30V
2шт по 6руб

C2668 (2SC266

NPN High Frequency Amplifier Applicati ons FM, RF, IF Amplifier Applications
7шт по 1руб

A1153 (2SA1153)

silicon PNP transistor, Uce = 40V, Ic = 500mA, applications: high frequency stage, switch
7шт по 3руб

A1005 (2SA1005)

PNP transistor, Uce = 40V, Ic = 30mA, applications: RF (FM range), high frequency stage, tuner
21шт по 3руб

A1206 (2SA1206)

PNP transistor preferred for use in applications like: switch
Граничная частота коэффициента передачи тока: 1800 МГц
21шт по 3руб

C1906 (2SC1906)

NPN transistor, Uce = 19V, Ic = 50mA, applications: VHF, mixer, oscillator
62 шт по 2руб

C2720 (2SC2720)

NPN transistor, Uce = 40V, Ic = 500mA, applications: audio frequency stage, switch mode regulators
7шт по 6руб

0220 (151-0220-00) (2N3906)

PNP mlitary Tektronix
16шт по 6руб

0367 (151-0367-00) (2N3571)

NPN military Tektronix
3шт по 6руб

216 (151-0216-00) (MPS6523)

PNP military Tektronix
1шт 6руб

0192 (151-0192-00) (2N6521)

Mosfet military Tektronix
7шт по 9руб

MJH16002

NPN 450 V 5 A
1шт 12руб

2N5192

NPN, 80 В, 4 А, 40 Вт
2шт по 2руб

2N5195

PNP, 80 В, 4 А, 40 Вт
1шт 2руб

BC549C

NPN, 0.2А, 30В
3 шт по 30коп

BF987

Transistor VHF N-Channel MOSFET
1шт 6руб

C5048 (2SC504

NPN, Ic=12А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= 10…30
1шт 15руб

2SK956

N-MOSFET 800V 9A 150W
1шт 10руб

C3502 (2SC3502)

NPN, Ic=0.1А, Vceo=200В, Vcbo=200В, Pd=5Вт, hFE= 40…320
1шт 3руб

B1011 (2SB1011)

PNP LF 400VCEO .1A
1шт 3руб

A1208 (2SA120

PNP 180В 0.07А
1шт 3руб

SS89 (BSS89)

SIPMOS Small-Signal Transistor N channel
1шт 6руб

J6920A (FJAF6920A)

NPN 20A 1700V
1шт 9руб

IRFU210B

200v N-channel Mosfet
1шт 6руб

2N6520

PNP 350В 0.5А
2 шт по 3руб

STC945

NPN Silicon Transistor
Complementary pair with STA733N
Low collector 1saturation voltage : VCE(sat)=0.25V(Max.)
1шт 3руб

BC328-25

PNP 25В 0.8А 0.625Вт
2 шт по 30 коп

C369 (BC369)

1000 Ma 20 V PNP Si Small Signal Transistor TO-92
5 шт по 3руб

P80NF55 (STP80NF55)

Power Mosfet N-channel 55V, 0.008Ω, 80A
2шт по 10руб

FDP3651U

Транзистор N-канал 100В 80А
2шт по 15руб

F240 (BF240)

NPN / 40V / 25MA / 400MHz TRANSISTOR
2шт по 1руб

BC548A

NPN general purpose transistor
2 шт по 1руб

BF982

N-Channel 20V / 40mA / 0.225W / VHF applications, FM tuners with 12V supply voltage
1шт 3руб

2SD2150 (CF)

SOT-89 NPN 40V 3A 290MHz
1шт 1руб

MJE13005

NPN 700/400V, 4A, 75W, 4MHz
2шт по 1руб

VN0300L

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FET
1шт 6руб

C559C (BC559C)

PNP 30В 0.1А
3 шт по 1руб

BC264B

N-CHANNEL SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS
1шт 5руб

KSP13

NPN Darlington 30В 0.5А
2 шт по 1руб

BC239C

NPN / 30V / 0.2A / 0.3W
2шт по 3руб

F494 (BF494)

hf npn transistor 20v 30ma
1шт 1руб

MPSA13

NPN Darlington 30V, 0.5A, 0.5W, 125MHz
1шт 3руб

HSD882S

NPN is suited for the output stage of 0.75W audio, voltage
regulator, and relay driver
1шт 3руб

D1NC60

N-CHANNEL 600V - 7Ω - 1.4A
1шт 5руб

4407A (4407)

30V P-Channel MOSFET 7.5A
12 шт по 4 руб

D2058 (2SD205

NPN 3А 60В
1шт 3руб

2310FX (ST2310FX)

1шт 5руб

C3228 (2SC322 (KTC322

NPN Transistor High Voltage : Vceo = 160V
1шт 3руб

BD433

NPN silicon planar transistor intended as AF power amplifier.
1шт 2руб

F451 (BF451)

PNP silicon transistor intended as FM mixer and oscillator or IF amplifier.
1шт 3руб

A113 (DTA113)

"Digital" PNP silicon double diffused epitaxial planar transistor with thin film internal bias resistors (Rb=1k,Rbe=10kΩ,50V,0.1A,.3W)
1шт 3руб

A115E (DTA115E)

PNP, 2 built-in bias resistors (DTA115E = 100 kΩ + 100 kΩ, DTA115G = 0 + 100 kΩ, DTA115T = 100 kΩ + 0, DTA115U = 100 kΩ + 10 kΩ)
1шт 3руб

C4408 (2SC440

NPN 80V 2A 0.9W
1шт 3руб

B1093 (2SB1093)

PNP darlington transistor including a dumper diode at C-E
1шт 3руб

C413 (BC413)

NPN Vceo:30V Ic:200mA Pc:500mW 200MHz TO-92
2шт по 1руб

BC879

NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 1А; 800мВт
1шт 2руб

MPSA12

NPN Transistor HFE:10000 100V500mA 200MHz
2шт по 6руб

4474 (AO4474)

MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-SOIC
1шт 3руб

4800B (SI4800B) (4800DGM)

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
41 шт по 3 руб

TPC8A03

MOSFET Полярность: N (Pd): 1 W |Uds|: 30 V |Id|: 17 A
5шт по 5руб

4435 (FDS4435) (AO4435)

MOSFET Полярность: P (Pd): 2.5 W |Uds|: 30 V |Id|: 8.8 A
5 шт по 3руб

TPC8111

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
Lithium Ion Battery Applications
Notebook PC Applications
Portable Equipment Applications
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11
1шт 5руб

TPC8014

MOSFET N-Channel 30V 11A
1шт 5руб

4404

MOSFET N-CH D-S 30V
1шт 3руб

BH (2SB1125)

PNP Collector-Emitter Voltage: -50 V Collector Current: -0.7 A DC Current Gain (hfe): 4000
10 шт по 2руб

KSE350 (MJE350)

PNP 300V, 0.5A, 20W, 10MHz
6шт по 1руб

KSE340 (MJE340)

NPN 300В 0.5А
6шт по 1руб

FR9110 (IRFR9110)

MOSFET Полярность: P 100 V 3.1 A
1шт 5руб

IRF640S

Description ?HEXFETR Power MOSFET
?Pins/Package ?TO-263(D2Pak)
?Pd(max.) ?130
?Id(max.) ?18A
?Vds(max.) ?200V
?Vgs ?
?N/P Ch. ?N-Ch
?Rds(on)(max.) ? ?0.18
10 шт по 5руб

KG (2SK1726)

N-MOSFET LogL, 60V, 1A, 3.5W, <1.2 Ω(500mA), 5/30ns
5 шт по 5руб

FR110 (IRFR110)

TO-252 Power Mosfet 100V/4.3A
2шт по 5руб

IRF1740G

TO220 MOSFET 5.4A 400V
1шт 6руб

IRF9630S

MOSFET P-CH 200 в 6.5A D2PAK
3шт по 5руб

F740LCS

1шт 5руб

IRF730S

N-Channel 400V 5.5A 74W Power Mosfet Transistor
6шт по 5руб

IRF630S

Power Mosfet (vdss=200v, Rds (on) =0.40ohm, Id=9.0a)
2шт по 5руб

IRF740S

N - Channel Powermesh Mosfet
10шт по 5руб

KK (2SB805)

PNP Collector-Emitter Voltage: -100 V Collector Current: -0.7 A Collector Dissipation: 2 W (hfe): 200 to 400
2шт по 4руб

IRFR420

Mosfet N-Ch 500 В 2.4A
1шт 5руб

J281 ( 2SJ281)

TO-252 MOSFET MOS P channel -250V-3A
2шт по 5руб

FL214 (IRFL214TRPBF)

(SOT-223) Полевой транзистор N-MOSFET 250В 0,79А
1шт 3руб

FR9210 (IRFR9210)

транзистор TO-252-3 P-channel - 100V/ - 13A Smd Power Mosfet
2шт по 5руб

123 (DTC143ZU) (PQVTD143Z106)

NPN Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resisto 4.7r 47k SOT-323
15шт по 1руб

X-R (2SD1820A)

NPN epitaxial planer type Transistor Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
3шт по 2руб

13 (DTA143) (113) (PQVTDTA143ZU)

Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=4.7кОм [ SOT-23-3 ]
3шт по 1руб

D-R (2SB1197KQ)

высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса SC-59
4шт по 1руб

KDL (B1CHND000004)

TRANSISTOR,FIELD EFFECT,1.25W
1шт 5руб

H-S (B1ABDF000025)

NPN
1шт 3руб

K3742 (2SK3742)

Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A
1шт 8руб

KA5 (2SK3720-5-TB-E)

MOSFET N-Channel 15V 30mA SOT-23/SC-59 marking KA5 low noise/high power gain/Small reverse transfer capacitance
1шт 5руб

ZG (KTN2222AS)

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
3шт по 2руб

PV (MMBTRA226S)

PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,8А; 200мВт; SOT23; R1 2.2 kOm R2: 10кОм
1шт 2руб

PT (KRA224S)

Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
1шт 2руб

PE (RT1P234)

PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) -50V -100mA/-0.1A 33 0.2W/200mW SOT-323/SC-70
・Built-in bias resistor (R1=2.2kΩ,R2=10kΩ).
1шт 2руб

P2003BVG

N-Channel MOSFET 30V 20mΩ @VGS = 10V ID 8.
6 шт по 3руб

P1003EVG (P1003EVS)

P-Chanel MOSFET |Id|: 13 A |Uds|: 30 V
2шт по 3руб

4712 (AO4712)

30V 13A N-Channel MOSFET
2шт по 3руб

K03D3 (RJK03D3DPA)

N Channel Power MOS FET
4шт по 3руб

K0392 (RJK0392DPA)

N MOSFET 30 V 45 A
1шт 5руб

K03B9 (RJK03B9DPA)

N -Channel 30 V 30 A
4шт по 3руб

434 (FDT434)

Mosfet P-channel 2.5V 6A, 3W SOT223
1шт 3руб

NDS9952A

Dual N & P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC
2шт по 5руб

J377

MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A
1шт 3руб

П605

Транзисторы П605А германиевые структуры p-n-p универсальные
1шт 1руб

П609А

тип PNP, 1,5 Вт
1шт 5руб

RC3866

800V 3A HFE10 npn
1шт 5руб

LR024N (IRLR024N)

Power MOSFET Полярность: N (Pd): 45 W |Uds|: 55 V |Id|: 17 A
1шт 5руб

D4515 (2SD4515)

NPN, 400В, 15А, TO3P
2шт по 5руб

D403 (AOD403)

P-Channel MOSFET транзистор TO-252 30v 15A
2шт по 2руб

6670 (FDS6670AS)

N-Channel PowerTrench® SyncFET™, 30V, 13.5A, 9.0mΩ
1шт 2руб

6679 (FDS6679)

30V P-Channel PowerTrench Mosfet Chip IC
3 шт по 2руб

4810B (SI4810B)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SOP8
9 шт по 2руб

8884 (FDS8884)

30V, 8.5A, 23mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet IC
10 шт по 2руб

6676 (FDS6676)

N-Channel 14.5 A, 30 V • Includes SyncFET Schottky Body Diode
6 шт по 2руб

4336 (SI4336)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
1шт 2руб

6690 (FDS6690)

30V N-Channel PowerTrench® Sy ncFET™ includes an integrat ed Schottky diode
1шт 2руб

8880 (FDS8880)

N-Channel PowerTrench. ®. MOSFET. 30V, 11.6A, 10mΩ
3шт по 2руб

4835B (SI4835B)

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
3шт по 2руб

4392 (SI4392)

N-Channel Reduced Qg Fast Switching WFET
2шт по 2руб

FDS7088SN3

MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin
4шт по 2руб

4386 (SI4386)

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
3шт по 2руб

K13A60D

600V, 13A, N-Channel MOSFET
1шт 10руб

K6A60D

N-Channel MOSFET 600V, 6A
2шт по 6руб

FS10TM10

TO-220F, N-канал+Диод, Vds(Vce)=30V, Id(Ic)=10A, Vgs(tr)=0,9V, Pd=15W
1шт 6руб

A2073 (2SA2073)

Transistors High voltage discharge, High speed sw itching, Low Noise (−60V, −3A)
1шт 5руб

4468 (AO446

Транзистор, N-канал, 30В, 10.5А, 2Вт
4шт по 2руб

4433 (AO4433)

MOSFET. P-CH. 8-SOIC -30V. -11A
2шт по 3руб

WFF7N60

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
1шт 3руб

D882 (2SD882)
Транзистор NPN 30В 3А 10Вт [TO-126]
2 шт по 5руб

JCS4N65F
4A/650V
1шт 3руб

2761I (AP2761I)
N-channel enhancement mode power MOSFET, TO, 650V, 10A, 37W TO220F
1шт 5руб

K12NQ10
SOP-8 MOSFET N-Channel
1шт 5руб

13001 (MJE13001) (X13001)
NPN 600/400V, 0,3A, 10W, 8MHz
1шт 2руб

D1857 (2SD1857)
Uni, 120/120V, 1,5A, 1W, 80MHz
2шт по 2руб

7403 (AON7403)