Предыдущие части
https://baraholka.onliner.by/viewtopic.php?f=6&t=23119940&p=105030773#p105030773
https://baraholka.onliner.by/viewtopic.php?f=239&t=21273947&p=99722905#p99722905
K2544 (2SK2544)
N-MOSFET транзистор, Uds = 600V, Ids = 6A
2 шт по 14руб
BD241C
NPN транзистор, Uce = 115V, Ic = 3A,
2 шт по 1руб
TIP41C
NPN 100В 6А
1шт 1руб
BD330 (2SB772, 2SB986)
PNP транзистор, Uce = 20V, Ic = 3A
2 шт по 5руб
BDC02A (BDB02A)
PNP транзистор, Uce = 45V, Ic = 500mA, применение: Задающие и выходные каскады УЗЧ
1шт 5руб
B1483 (2SB1483)
PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 5A, применение: Низкое напряжение насыщения Uce
1шт 5руб
K1507 (2SK1507)
N-MOSFET транзистор, Uds = 600V, Ids = 9A
1шт 4руб
A940 (2SA940)
PNP транзистор, Uce = 150V, Ic = 1.5A, применение: Вертикальное отклонение, ТВ, Каскады для усилителей звуковых частот
2 шт по 1руб
TIP32C
PNP транзистор, Uce = 100V, Ic = 3A, применение: Усилитель и переключатель широкого назначения
4 шт по 1руб
D2058 (2SD205
NPN транзистор, Ucb = 60V, Ic = 3A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот
2 шт по 2руб
D1843
NPN darlington транзистор, Ucb = 60V, Ic = 1A
23 шт по 3руб
C3467 (2SC3467)
NPN транзистор, Uce = 200V, Ic = 100mA, применение: Транзисторный видеоусилитель, Высокое разрешение
2 шт по 1руб
BD243C
NPN транзистор, Uce = 100V, Ic = 6A, применение: Усилитель и переключатель широкого назначения
2 шт по 1руб
A1488 (2SA148
PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 4A
1шт 5руб
BFQ162
NPN транзистор, Uce = 10V, Ic = 500mA, применение: Задающий каскад усилителя видеосигналов для мониторов
3шт по 5руб
D2069 (2SD2069)
NPN транзистор, Ucb = 60V, Ic = 2A, применение: Низкое напряжение насыщения Uce
2 шт по 5руб
C3595 (2SC3595)
NPN транзистор, Uce = 20V, Ic = 500mA, применение: Выходной каскад для видео, Высокое разрешение
3 шт по 5руб
BSN254A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
2 шт по 3руб
B1416 (2SB1416)
PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 3A, применение: Выходные каскады УЗЧ
1шт 5руб
C2230 (2SC2230)
NPN транзистор, Uce = 160V, Ic = 100mA, применение: Задающие каскады УЗЧ, Транзисторный видеоусилитель
1шт 1руб
BD434
PNP, Ic=-4А, Vceo=-22В, Vcbo=-22В, Pd=36Вт , hFE= = 85
3шт по 1руб
D667 (2SD667)
NPN-transistor Low frequency power amplifier, 120V 1A, 0.9W
8 шт по 1руб
C2383 (2SC2383)
CTV-NF/VA, 160/160V, 1A, 0,9W, >20MHz
3 шт по 1руб
C2073 (2SC2073) (KSC2073)
NPN транзистор, Uce = 150V, Ic = 1.5A, применение: Вертикальное отклонение, ТВ, Каскады для усилителей звуковых частот, Силовой переключатель
2шт по 1руб
B1318 (2SB131
PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 3A, применение: Универсальный
1шт 5руб
K3153 (2SK3153)
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
15A/120V
1шт 6руб
BD808
PNP транзистор, Uce = 60V, Ic = 10A, применение: Высокомощный УЗЧ с комплементарными или квази комплементарными цепями, Усилитель
1шт 5руб
5609 (TPT5609)
N-P-N 25V / 1A / 190 Mhz
2шт по 1руб
A1941 (2SA1941)
PNP 140В 10А
2шт по 5руб
C5198 (2SC519
NPN 140 В 10 А
2шт по 5руб
C4793 (2SC4793)
NPN 230В 1А
9 шт по 3руб
FU9210 (IRFU9210)
P-MOSFET транзистор, Uds = 200V, Ids = 1.9A
6шт по 5руб
BD139
NPN 80В 1.5А 12.5Вт
23 шт по 1руб
Л1 (КП103Л1)
Полевой транзистор P-канальный, 12В, 0.066Вт
2шт по 50 коп
IRFP250N
N-канал 200В 30А
4шт по 6руб
MMBT5401 (2L)
PNP, 150В, 600мА
4шт по 50коп
A103 (2SA103)
германиевый PNP транзистор, Ucb = 40V, Ic = 10mA, применение: Промежуточная частота (ПЧ), Каскады ВЧ усилителей
2шт по 1руб
A1220A (2SA1220A)
PNP
Collector-Emitter Voltage: -120 V
Collector-Base Voltage: -120 V
Emitter-Base Voltage: -5 V
Collector Current: -1.2 A
Collector Dissipation: 20 W
DC Current Gain (hfe): 60 to 320
Transition Frequency: 175 MHz
1шт 3руб
D415 (2SD415)
Vcbo= 120v; Ic= 800 mA; Pw= 10 W; ft= 45 MHz TO-126 NPN Transistor
1шт 3руб
K3667 (2SK3667)
Транзистор полевой N-канальный 600В 7.5А 45Вт
1шт 3руб
C517 (BC517)
Транзистор Дарлингтона NPN 30В 0.5А
1шт 1руб
SUB70N03-09P
N Канал, 70 А, 30 В
2шт по 6руб
SUB75N03-07
N-Channel 30-V 75A
2шт по 6руб
Si4410 (4410)
полевой транзистор Рабочее напряжение: 30V
Максимальный ток: 10A
3 шт по 6руб
40N03 (UT40N03)
N-Channel POWER MOSFET 40A,30V
2шт по 6руб
C2668 (2SC266
NPN High Frequency Amplifier Applicati ons FM, RF, IF Amplifier Applications
7шт по 1руб
A1153 (2SA1153)
silicon PNP transistor, Uce = 40V, Ic = 500mA, applications: high frequency stage, switch
7шт по 3руб
A1005 (2SA1005)
PNP transistor, Uce = 40V, Ic = 30mA, applications: RF (FM range), high frequency stage, tuner
21шт по 3руб
A1206 (2SA1206)
PNP transistor preferred for use in applications like: switch
Граничная частота коэффициента передачи тока: 1800 МГц
21шт по 3руб
C1906 (2SC1906)
NPN transistor, Uce = 19V, Ic = 50mA, applications: VHF, mixer, oscillator
62 шт по 2руб
C2720 (2SC2720)
NPN transistor, Uce = 40V, Ic = 500mA, applications: audio frequency stage, switch mode regulators
7шт по 6руб
0220 (151-0220-00) (2N3906)
PNP mlitary Tektronix
16шт по 6руб
0367 (151-0367-00) (2N3571)
NPN military Tektronix
3шт по 6руб
216 (151-0216-00) (MPS6523)
PNP military Tektronix
1шт 6руб
0192 (151-0192-00) (2N6521)
Mosfet military Tektronix
7шт по 9руб
MJH16002
NPN 450 V 5 A
1шт 12руб
2N5192
NPN, 80 В, 4 А, 40 Вт
2шт по 2руб
2N5195
PNP, 80 В, 4 А, 40 Вт
1шт 2руб
BC549C
NPN, 0.2А, 30В
3 шт по 30коп
BF987
Transistor VHF N-Channel MOSFET
1шт 6руб
C5048 (2SC504
NPN, Ic=12А, Vceo=600В, Vcbo=1500В, Pd=50Вт, hFE= 10…30
1шт 15руб
2SK956
N-MOSFET 800V 9A 150W
1шт 10руб
C3502 (2SC3502)
NPN, Ic=0.1А, Vceo=200В, Vcbo=200В, Pd=5Вт, hFE= 40…320
1шт 3руб
B1011 (2SB1011)
PNP LF 400VCEO .1A
1шт 3руб
A1208 (2SA120
PNP 180В 0.07А
1шт 3руб
SS89 (BSS89)
SIPMOS Small-Signal Transistor N channel
1шт 6руб
J6920A (FJAF6920A)
NPN 20A 1700V
1шт 9руб
IRFU210B
200v N-channel Mosfet
1шт 6руб
2N6520
PNP 350В 0.5А
2 шт по 3руб
STC945
NPN Silicon Transistor
Complementary pair with STA733N
Low collector 1saturation voltage : VCE(sat)=0.25V(Max.)
1шт 3руб
BC328-25
PNP 25В 0.8А 0.625Вт
2 шт по 30 коп
C369 (BC369)
1000 Ma 20 V PNP Si Small Signal Transistor TO-92
5 шт по 3руб
P80NF55 (STP80NF55)
Power Mosfet N-channel 55V, 0.008Ω, 80A
2шт по 10руб
FDP3651U
Транзистор N-канал 100В 80А
2шт по 15руб
F240 (BF240)
NPN / 40V / 25MA / 400MHz TRANSISTOR
2шт по 1руб
BC548A
NPN general purpose transistor
2 шт по 1руб
BF982
N-Channel 20V / 40mA / 0.225W / VHF applications, FM tuners with 12V supply voltage
1шт 3руб
2SD2150 (CF)
SOT-89 NPN 40V 3A 290MHz
1шт 1руб
MJE13005
NPN 700/400V, 4A, 75W, 4MHz
2шт по 1руб
VN0300L
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FET
1шт 6руб
C559C (BC559C)
PNP 30В 0.1А
3 шт по 1руб
BC264B
N-CHANNEL SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS
1шт 5руб
KSP13
NPN Darlington 30В 0.5А
2 шт по 1руб
BC239C
NPN / 30V / 0.2A / 0.3W
2шт по 3руб
F494 (BF494)
hf npn transistor 20v 30ma
1шт 1руб
MPSA13
NPN Darlington 30V, 0.5A, 0.5W, 125MHz
1шт 3руб
HSD882S
NPN is suited for the output stage of 0.75W audio, voltage
regulator, and relay driver
1шт 3руб
D1NC60
N-CHANNEL 600V - 7Ω - 1.4A
1шт 5руб
4407A (4407)
30V P-Channel MOSFET 7.5A
10 шт по 4 руб
D2058 (2SD205
NPN 3А 60В
1шт 3руб
2310FX (ST2310FX)
1шт 5руб
C3228 (2SC322 (KTC322
NPN Transistor High Voltage : Vceo = 160V
1шт 3руб
BD433
NPN silicon planar transistor intended as AF power amplifier.
1шт 2руб
F451 (BF451)
PNP silicon transistor intended as FM mixer and oscillator or IF amplifier.
1шт 3руб
A113 (DTA113)
"Digital" PNP silicon double diffused epitaxial planar transistor with thin film internal bias resistors (Rb=1k,Rbe=10kΩ,50V,0.1A,.3W)
1шт 3руб
A115E (DTA115E)
PNP, 2 built-in bias resistors (DTA115E = 100 kΩ + 100 kΩ, DTA115G = 0 + 100 kΩ, DTA115T = 100 kΩ + 0, DTA115U = 100 kΩ + 10 kΩ)
1шт 3руб
C4408 (2SC440
NPN 80V 2A 0.9W
1шт 3руб
B1093 (2SB1093)
PNP darlington transistor including a dumper diode at C-E
1шт 3руб
C413 (BC413)
NPN Vceo:30V Ic:200mA Pc:500mW 200MHz TO-92
2шт по 1руб
BC879
NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 1А; 800мВт
1шт 2руб
MPSA12
NPN Transistor HFE:10000 100V500mA 200MHz
2шт по 6руб
4474 (AO4474)
MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-SOIC
1шт 3руб
4800B (SI4800B)
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
33 шт по 3 руб
TPC8A03
MOSFET Полярность: N (Pd): 1 W |Uds|: 30 V |Id|: 17 A
5шт по 5руб
4435 (FDS4435) (AO4435)
MOSFET Полярность: P (Pd): 2.5 W |Uds|: 30 V |Id|: 8.8 A
5 шт по 3руб
TPC8111
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
Lithium Ion Battery Applications
Notebook PC Applications
Portable Equipment Applications
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11
1шт 5руб
TPC8014
MOSFET N-Channel 30V 11A
1шт 5руб
4404
MOSFET N-CH D-S 30V
1шт 3руб
BH (2SB1125)
PNP Collector-Emitter Voltage: -50 V Collector Current: -0.7 A DC Current Gain (hfe): 4000
10 шт по 2руб
KSE350 (MJE350)
PNP 300V, 0.5A, 20W, 10MHz
6шт по 1руб
KSE340 (MJE340)
NPN 300В 0.5А
6шт по 1руб
FR9110 (IRFR9110)
MOSFET Полярность: P 100 V 3.1 A
1шт 5руб
IRF640S
Description ?HEXFETR Power MOSFET
?Pins/Package ?TO-263(D2Pak)
?Pd(max.) ?130
?Id(max.) ?18A
?Vds(max.) ?200V
?Vgs ?
?N/P Ch. ?N-Ch
?Rds(on)(max.) ? ?0.18
10 шт по 5руб
KG (2SK1726)
N-MOSFET LogL, 60V, 1A, 3.5W, <1.2 Ω(500mA), 5/30ns
5 шт по 5руб
FR110 (IRFR110)
TO-252 Power Mosfet 100V/4.3A
2шт по 5руб
IRF1740G
TO220 MOSFET 5.4A 400V
1шт 6руб
IRF9630S
MOSFET P-CH 200 в 6.5A D2PAK
3шт по 5руб
F740LCS
1шт 5руб
IRF730S
N-Channel 400V 5.5A 74W Power Mosfet Transistor
6шт по 5руб
IRF630S
Power Mosfet (vdss=200v, Rds (on) =0.40ohm, Id=9.0a)
2шт по 5руб
IRF740S
N - Channel Powermesh Mosfet
10шт по 5руб
KK (2SB805)
PNP Collector-Emitter Voltage: -100 V Collector Current: -0.7 A Collector Dissipation: 2 W (hfe): 200 to 400
2шт по 4руб
IRFR420
Mosfet N-Ch 500 В 2.4A
1шт 5руб
J281 ( 2SJ281)
TO-252 MOSFET MOS P channel -250V-3A
2шт по 5руб
FL214 (IRFL214TRPBF)
(SOT-223) Полевой транзистор N-MOSFET 250В 0,79А
1шт 3руб
FR9210 (IRFR9210)
транзистор TO-252-3 P-channel - 100V/ - 13A Smd Power Mosfet
2шт по 5руб
123 (DTC143ZU) (PQVTD143Z106)
NPN Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resisto 4.7r 47k SOT-323
15шт по 1руб
X-R (2SD1820A)
NPN epitaxial planer type Transistor Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
3шт по 2руб
13 (DTA143) (113) (PQVTDTA143ZU)
Транзистор, PNP RET, 50В, 0.1А, R1=4.7кОм, R2=4.7кОм [ SOT-23-3 ]
3шт по 1руб
D-R (2SB1197KQ)
высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, малой мощности ( PК,МАКС < 300 мВт). Тип корпуса SC-59
4шт по 1руб
KDL (B1CHND000004)
TRANSISTOR,FIELD EFFECT,1.25W
1шт 5руб
H-S (B1ABDF000025)
NPN
1шт 3руб
K3742 (2SK3742)
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A
1шт 8руб
KA5 (2SK3720-5-TB-E)
MOSFET N-Channel 15V 30mA SOT-23/SC-59 marking KA5 low noise/high power gain/Small reverse transfer capacitance
1шт 5руб
ZG (KTN2222AS)
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
3шт по 2руб
PV (MMBTRA226S)
PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,8А; 200мВт; SOT23; R1 2.2 kOm R2: 10кОм
1шт 2руб
PT (KRA224S)
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
1шт 2руб
PE (RT1P234)
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT) -50V -100mA/-0.1A 33 0.2W/200mW SOT-323/SC-70
・Built-in bias resistor (R1=2.2kΩ,R2=10kΩ).
1шт 2руб
P2003BVG
N-Channel MOSFET 30V 20mΩ @VGS = 10V ID 8.
4шт по 3руб
P1003EVG
P-Chanel MOSFET |Id|: 13 A |Uds|: 30 V
1шт 3руб
4712 (AO4712)
30V 13A N-Channel MOSFET
2шт по 3руб
K03D3 (RJK03D3DPA)
N Channel Power MOS FET
4шт по 3руб
K0392 (RJK0392DPA)
N MOSFET 30 V 45 A
1шт 5руб
K03B9 (RJK03B9DPA)
N -Channel 30 V 30 A
4шт по 3руб
434 (FDT434)
Mosfet P-channel 2.5V 6A, 3W SOT223
1шт 3руб
NDS9952A
Dual N & P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC
2шт по 5руб
J377
MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A
1шт 3руб
П605
Транзисторы П605А германиевые структуры p-n-p универсальные
1шт 1руб
П609А
тип PNP, 1,5 Вт
1шт 5руб
RC3866
800V 3A HFE10 npn
1шт 5руб
LR024N (IRLR024N)
Power MOSFET Полярность: N (Pd): 45 W |Uds|: 55 V |Id|: 17 A
1шт 5руб
D4515 (2SD4515)
NPN, 400В, 15А, TO3P
2шт по 5руб
D403 (AOD403)
P-Channel MOSFET транзистор TO-252 30v 15A
2шт по 2руб
6982 (FDS6982)
Dual N-Channel Notebook Supply MOSFET
1шт 5руб
6670 (FDS6670AS)
N-Channel PowerTrench® SyncFET™, 30V, 13.5A, 9.0mΩ
1шт 2руб
6679 (FDS6679)
30V P-Channel PowerTrench Mosfet Chip IC
3 шт по 2руб
4810B (SI4810B)
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SOP8
9 шт по 2руб
8884 (FDS8884)
30V, 8.5A, 23mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet IC
5 шт по 2руб
6676 (FDS6676)
N-Channel 14.5 A, 30 V • Includes SyncFET Schottky Body Diode
6 шт по 2руб
4336 (SI4336)
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
1шт 2руб
6690 (FDS6690)
30V N-Channel PowerTrench® Sy ncFET™ includes an integrat ed Schottky diode
1шт 2руб
8880 (FDS8880)
N-Channel PowerTrench. ®. MOSFET. 30V, 11.6A, 10mΩ
3шт по 2руб
4835B (SI4835B)
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
3шт по 2руб
4392 (SI4392)
N-Channel Reduced Qg Fast Switching WFET
2шт по 2руб
FDS7088SN3
MOSFET N-CH 30V 21A 8Pin
4шт по 2руб
4386 (SI4386)
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
3шт по 2руб
K13A60D
600V, 13A, N-Channel MOSFET
1шт 10руб
K6A60D
N-Channel MOSFET 600V, 6A
2шт по 6руб
FS10TM10
TO-220F, N-канал+Диод, Vds(Vce)=30V, Id(Ic)=10A, Vgs(tr)=0,9V, Pd=15W
1шт 6руб
A2073 (2SA2073)
Transistors High voltage discharge, High speed sw itching, Low Noise (−60V, −3A)
1шт 5руб
4468 (AO446
Транзистор, N-канал, 30В, 10.5А, 2Вт
4шт по 2руб
4433 (AO4433)
MOSFET. P-CH. 8-SOIC -30V. -11A
2шт по 3руб
WFF7N60
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
1шт 3руб
D882 (2SD882)
Транзистор NPN 30В 3А 10Вт [TO-126]
2 шт по 5руб
JCS4N65F
4A/650V
1шт 3руб
2761I (AP2761I)
N-channel enhancement mode power MOSFET, TO, 650V, 10A, 37W TO220F
1шт 5руб
K12NQ10
SOP-8 MOSFET N-Channel
1шт 5руб
13001 (MJE13001) (X13001)
NPN 600/400V, 0,3A, 10W, 8MHz
1шт 2руб
D1857 (2SD1857)
Uni, 120/120V, 1,5A, 1W, 80MHz
2шт по 2руб
7403 (AON7403)
30V P-Channel MOSFET
3шт по 2руб
K8A50D (TK8A50D) (K8A500, TA8A500)
MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
2шт по 5руб
BCP69
PNP 20v2.0A h =63-40, [SOT-223]
1шт 3руб
