Тестировался при подключении через USB, по этому такая скоро
сть на графике. Общая информация
Дата выхода на рынок 2021 г.
Основные
Объём 250 ГБ
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс SATA 3.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Samsung MKX
Ресурс записи 150 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 512 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 560 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 530 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 98 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 88 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 5.5 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.06 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 6.8 мм
